용인 반도체 클러스터 기반공사 ‘순항’…전기시설 등 2026년 준공

용인특례시가 추진 중인 반도체 클러스터 산업단지 핵심 기반시설 조성공사가 순항하고 있다.

 

14일 용인특례시에 따르면 해당 산단은 용인일반산업단지㈜가 처인구 원삼면 독성·고당·죽능리 일원 415만㎡에 차세대 메모리 생산기지를 구축한다. SK하이닉스는 이곳에 약 120조원을 투자해 반도체 생산공장 4동을 조성할 계획이다.

 

용인시는 해당 산단의 2027년 상반기 첫 팹(Fab) 가동을 목표로 한 각종 기반시설 공사가 계획대로 차질없이 진행 중이다.

 

지난해 5월 착공한 전력 공급시설 공사는 2026년 8월 완료를 목표로 현재 공정률 17%를 기록하고 있다. 전력 공급시설은 안성시 고삼면에 있는 신안성변전소에서 처인구 원삼면 사업 대상지까지 6.46㎞ 구간(용인 3.34㎞, 안성 3.12㎞)에 터널식 지중 송전로와 변전소 1곳을 건설하는 공사다.

 

반도체 클러스터에서 사용하는 연간 전력량은 약 2만1천440Gwh이다. 전력 공급시설은 주민 불편 최소화를 위해 머든 구간을 터널식으로 지중화해 조성 중이다.

 

전력 공급시설과 함께 취수 지점인 여주시 남한강 여주보에서 이천시를 거쳐 사업대상지인 원삼면에 이르는 36.9㎞ 구간의 용수 공급시설 설치 공사도 진행 중이다.

 

해당 구간에는 직경 1천500㎜ 관로가 매설돼 완공 후 하루 26만5천t의 공업용수를 공급한다.

 

용수 시설 공사는 기간 단축을 위해 6개 구간으로 나눠 진행되며, 2026년 7월 준공이 목표다.

 

이 밖에 반도체 클러스터 산업단지에서 발생하는 오·폐수를 처리하기 위한 공공폐수처리시설도 2026년 말까지 설치된다.

 

이 시설은 하루 평균 1만1천t을 처리할 수 있는 규모로, 총면적 3만2천600㎡의 시설이 지하에 건립된다.

 

지상에는 지역 주민 의견을 수렴해 체육시설이나 공원 등 주민 친화 공간이 조성된다.

 

이상일 시장은 “공사로 인한 주민 불편을 최소화하고 공기를 최대한 앞당겨 반도체 팹 가동에 필요한 기반시설을 기한 내 조성하겠다”고 말했다.